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中国半导体CMP抛光材料上游为原材料供应商，主要为研磨剂企业，其他次要企业有化工企业、包装材料企业和滤芯企业。半导体产业制造流程复杂，特别是集成电路领域对使用的CMP抛光材料要求高，主要原材料研磨剂颗粒一般为纳米级，技术难点在于均匀成核。生长时抑制二次成核
且必须保持质量稳定，颗粒分布均匀、颗粒直径均匀，才能在大量使用的过程中避免对硅片造成损伤产品所需主要原材料为硅溶胶和气相二氧化硅等研磨颗粒，其中气相二氧化硅容易溢出，且不容易清洗，硅溶胶使用效果更佳。

电子工业：硅溶胶和刻蚀试剂制成的抛光液，可用于硅片以及硬盘盘片的粗抛和精抛；同时，硅溶胶也可作为彩色显像管制造中的分散剂和粘结剂；

硅溶胶抛光液

因为抛光浆料的选取要满足易清洗、抛光速率快以及抛光均匀性好等特点，而硅溶胶作为一种软质磨料是在SiO2磨粒表面包覆一层无色透明胶体，使其硬度比SiO2磨粒更软，其粒度约为0.01-0.1um，加工时抛光表面不易造成划伤，同时其胶体粒子直径为纳米级，具有较大的比表面积，高度的分散性和渗透性，因其粒子表面常吸附OH-而带负电，具有很好的亲水性和憎油性，因此广泛应用于硅片、二氧化硅、蓝宝石等精密光学器件表面的抛光处理。

由于二氧化硅粒度很细，约0.01-0.1μm，因此抛光工件表面的损伤层极微；另外，二氧化硅的硬度和硅片的硬度相近，因此常用于对半导体硅片的抛光。精抛时通常不会采用类似气相法制备的微米级二氧化硅粒子，而采用纳米级的硅溶胶，这是为了减小表面粗糙度和损伤层深度。

二氧化硅是硅溶胶抛光液的重要组成部分，其粒径大小、致密度、分散度等因素直接影响化学机械抛光的速率和抛光质量。